我們知道陶瓷電容是指用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成的電容器，它分為高頻瓷介和低頻瓷介兩種。而陶瓷電容是會受到熱循環(huán)影響的，那么受熱循環(huán)影響之后的損耗角正切值D會怎樣變化呢？
以102陶瓷電容為例做實(shí)驗(yàn)，在熱循環(huán)試驗(yàn)(周期為300秒)下，經(jīng)不同次數(shù)熱循環(huán)后，102陶瓷電容的室溫?fù)p耗角正切值D如下圖所示。
在熱循環(huán)試驗(yàn)(周期為300秒)下，102陶瓷電容的耗角正切值D隨循環(huán)次數(shù)的變化曲線如下，在熱循環(huán)制度三中，陶瓷電容的損耗角正切值D與熱循環(huán)次數(shù)呈線性函數(shù)變化關(guān)系。
從上面的實(shí)驗(yàn)可以看出：陶瓷電容在熱循環(huán)降溫階段，隨著溫度的下降，其損耗角正切D值D是單調(diào)遞增的;在加熱階段，隨著溫度的升高，其損耗角正切值D是單調(diào)遞減的。隨著熱循環(huán)次數(shù)的增加，陶瓷電容器的損耗角正切值D是增加的，其變化符合線性函數(shù)的變化規(guī)律。
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