早在19世紀開始人們就開始了對電容器的研究，并且先后出現了以各種材料作為介質的電容器，如薄膜電容、云母電容器、電解電容器和陶瓷電容器等。近年來，隨著電子工業的飛速發展，高壓陶瓷電容器的應用領域越來越廣泛。
陶瓷電容器不僅可以耐高溫、耐腐蝕，而且有較高的介電常數，這對當前集成電路對電容器小型化、高容量的要求是很適宜的。電容器的性能直接取決于陶瓷介質的性能，材料介電常數越大，抗電強度越高，則小型化程度越好。因此制造廠家在圍繞提高瓷料性能和發展新材料方面競相在積極開展工作。
人們開發出使用高介電常數的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極的方法制成陶瓷電容，這種做法的陶瓷電容介電常數高，但損耗大。雖然介電常數高對于減小電容器的尺寸極為有利，但損耗大將會引起瓷片發熱，從而導致電容器的擊穿。
陶瓷電容器的介質損耗主要由三部分組成:
1、玻璃相中的電導損耗這部分損耗主要是由玻璃中的離子引起的電導損耗。
2、晶相中的損耗它主要是由于晶界附近的晶格容易產生畸變和晶格問題，因而產生弱聯系離子造成松池損耗。
3、結構不均勻性導致的附加夾層損耗。要降低電容器的介質損耗，主要是減小弱聯系離子和弱束縛電子，目前的技術仍在研究發展著。
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