7月29日，第壹財(cái)經(jīng)感謝從產(chǎn)業(yè)鏈獲悉，功率半導(dǎo)體芯片缺口仍在擴(kuò)大，部分產(chǎn)品交貨周期接近一年半。
據(jù)IC分銷平臺(tái)貿(mào)澤電子等網(wǎng)站得實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)顯示，安世半導(dǎo)體MOSFET器件中，已有包括MOSFET、GaNFET、功率MOSFET等在內(nèi)得144款產(chǎn)品處于無(wú)庫(kù)存狀態(tài)，缺貨產(chǎn)品得交貨周期均已長(zhǎng)達(dá)69周，而產(chǎn)品得漲價(jià)幅度從6%到37%不等。
機(jī)構(gòu)認(rèn)為，受益需求增長(zhǎng)疊加漲價(jià)、國(guó)產(chǎn)替代等因素，2021年功率半導(dǎo)體有望迎來(lái)高景氣周期。截至發(fā)稿前，功率半導(dǎo)體賽道公司士蘭微（600460）漲8.34%，報(bào)69.66元，新潔能（605111）漲5.73%，報(bào)157.05元，聞泰科技（600745）漲10.01%，報(bào)101.48元。
交貨周期進(jìn)一步拉長(zhǎng)
由于8英寸晶圓代工廠從封測(cè)到代工得交貨周期不斷拉長(zhǎng)，多家半導(dǎo)體功率企業(yè)也在不斷調(diào)整產(chǎn)品價(jià)格。
捷捷微電7月26日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，今年4月初對(duì)VDMOS、TRENCH MOS部分產(chǎn)品進(jìn)行了漲價(jià)。而在2月份，士蘭微也發(fā)布了部分產(chǎn)品品類漲價(jià)通知，包括 MOS 類、IGBT、SBD、FRD、功率對(duì)管等均開始調(diào)價(jià)。同時(shí)，長(zhǎng)晶科技也宣布已從5月開始對(duì)全系列產(chǎn)品漲價(jià)，上漲幅度約為10%-20%。
而在上述電子分銷平臺(tái)得歷史價(jià)格數(shù)據(jù)可以查詢到，功率半導(dǎo)體得價(jià)格浮動(dòng)可達(dá)30%。以安世半導(dǎo)體得產(chǎn)品為例，PSMN1R4-40YLDX器件，千件單價(jià)已由6.2715元/件上漲至 8.6445 元/件，漲幅超過37%。PSMN1R0-40YSHX器件由11.4243元/件上漲至 15.2776元/件，漲幅超過33%，其余器件得采購(gòu)價(jià)漲幅也在6%-21%不等。
“2021年目前還是產(chǎn)能不足、封裝產(chǎn)能也是，我們得產(chǎn)品主要投片8吋在世界、6吋在茂矽，8吋和6吋約一半一半。”一功率元件研發(fā)企業(yè)得負(fù)責(zé)人對(duì)感謝表示，漲價(jià)得主因依然是上游設(shè)備供應(yīng)有限。
華創(chuàng)證券在研報(bào)中表示，東南亞為全球M制造和封測(cè)得重鎮(zhèn)，在全球十大M和封測(cè)企業(yè)中有7家在東南亞設(shè)立工廠。但疫情影響疊加需求供應(yīng)問題，讓全球半導(dǎo)體供給受限。
此外，SEMI在蕞新發(fā)布得報(bào)告中預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體廠商將在 2021 年和 2022 年分別新建 19 座和 10 座大批量半導(dǎo)體晶圓廠。這些晶圓廠得設(shè)備支出應(yīng)超過 1400 億美元。但由于晶圓擴(kuò)產(chǎn)周期相對(duì)較長(zhǎng)，海外廠商建設(shè)周期或在1年以上，即使有玩家欲新建產(chǎn)能，也難以改變1年內(nèi)得供給格局。
華夏市場(chǎng)需求擴(kuò)大
除了產(chǎn)能不足外，缺貨加劇得另一面是市場(chǎng)得需求增長(zhǎng)。僅以汽車為例，新能源車得單車功率器件需求從去年下半年開始呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，華創(chuàng)證券預(yù)測(cè)至2025年時(shí)新能源車和充電樁相關(guān)得MOSFET和IGBT市場(chǎng)空間有望超300億元。
而華夏是全球蕞大得功率器件消費(fèi)國(guó)，研究機(jī)構(gòu)HIS預(yù)計(jì)，2021年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到441億美元，同比增長(zhǎng)4.5%，其中，華夏功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到159 億美元。
但從市場(chǎng)份額來(lái)說，國(guó)際廠商依然是市場(chǎng)得主導(dǎo)者。
以MOSFET市場(chǎng)為例，目前主要由英飛凌占據(jù)，排名第二為安森美、第三則是瑞薩得9%。而在含金量更高得高壓MOSFET中，英飛凌以36%得市占率排名第壹，意法半導(dǎo)體與東芝則以市占19%及11%分居二、三名。而在IGBT市場(chǎng)中，由英飛凌、三菱和富士電機(jī)依序排名前三大，安森美則主攻在低壓得消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)，電壓在600V以下，中高壓1700V以上領(lǐng)域，是應(yīng)用在高鐵、車用電子、智慧電表等，則被英飛凌、ABB和三菱壟斷。
不過，在半導(dǎo)體功率得部分產(chǎn)品上，國(guó)產(chǎn)企業(yè)得替代實(shí)力也逐漸顯現(xiàn)，頭部廠商也在大家對(duì)工廠得投資。
此前，華潤(rùn)微發(fā)布公告稱，公司全資子公司華微控股擬與大基金二期、重慶西永微電子產(chǎn)業(yè)園區(qū)開發(fā)有限公司設(shè)立合資公司，投建12寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目。而士蘭微也宣布投資20億元，在現(xiàn)有集成電路芯片廠房?jī)?nèi)增加生產(chǎn)設(shè)備擴(kuò)建12英寸芯片生產(chǎn)能力，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片芯片產(chǎn)能，實(shí)施周期2年。
此外，還有捷捷微電發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資近12億元，投資于功率半導(dǎo)體“車規(guī)級(jí)”封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。聞泰科技在上海臨港建設(shè)得產(chǎn)能規(guī)劃為40萬(wàn)片/年得12英寸晶圓廠有望在2022年7月投產(chǎn)。
華西證券表示，無(wú)論是從產(chǎn)業(yè)鏈成熟得角度還是產(chǎn)品突破得維度，功率半導(dǎo)體板塊是進(jìn)口替代速度相對(duì)較快得領(lǐng)域。目前功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商已構(gòu)建基本配套環(huán)境，設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)到模塊均相對(duì)健全，從制造環(huán)節(jié)來(lái)看，國(guó)內(nèi)目前已具備4/6/8英寸產(chǎn)能，且國(guó)內(nèi)領(lǐng)先得功率M公司預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)增加12英寸產(chǎn)能，專注特色工藝。
