重點(diǎn)圍繞計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)和通信、數(shù)字化家電、汽車電子、環(huán)保節(jié)能設(shè)備及改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)等得需求，發(fā)展相關(guān)得片式電子元器件、機(jī)電元件、印制電路板、敏感元件和傳感器、頻率器件、新型綠色電池、光電線纜、新型微特電機(jī)、電聲器件、半導(dǎo)體功率器件、電力電子器件和真空電子器件。

推動(dòng)元器件產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)。繼續(xù)鞏固華夏在傳統(tǒng)元器件領(lǐng)域得優(yōu)勢，加強(qiáng)引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)垂直整合，加快新型元器件得研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。重點(diǎn)發(fā)展片式化、微型化、集成化、高性能得新型元器件，鼓勵(lì)環(huán)保型電子元器件得發(fā)展。

推動(dòng)元器件產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)。繼續(xù)鞏固華夏在傳統(tǒng)元器件領(lǐng)域得優(yōu)勢，加強(qiáng)引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)垂直整合，加快新型元器件得研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。重點(diǎn)發(fā)展片式化、微型化、集成化、高性能得新型元器件，鼓勵(lì)環(huán)保型電子元器件得發(fā)展。

加快完善體制機(jī)制，改善投融資環(huán)境，培育骨干企業(yè)，扶持中小創(chuàng)新型企業(yè)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展；加大財(cái)稅、金融政策支持力度，增強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)得自主發(fā)展能力；實(shí)現(xiàn)電子元器件產(chǎn)業(yè)平穩(wěn)發(fā)展；加快電子元器件產(chǎn)品升級(jí)；完善集成電路產(chǎn)業(yè)體系；在集成電路領(lǐng)域，鼓勵(lì)優(yōu)勢企業(yè)兼并重組；繼續(xù)保持并適當(dāng)加大部分電子信息產(chǎn)品出口退稅力度，發(fā)揮出口信用保險(xiǎn)支持電子信息產(chǎn)品出口得積極作用，強(qiáng)化出口信貸對(duì)中小電子信息企業(yè)得支持。

結(jié)合實(shí)施電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃，以集成電路關(guān)鍵設(shè)備、平板顯示器件生產(chǎn)設(shè)備、新型元器件生產(chǎn)設(shè)備、表面貼裝及無鉛工藝整機(jī)裝聯(lián)設(shè)備、電子專用設(shè)備儀器及工模具等為重點(diǎn)，推進(jìn)電子信息裝備自主化。

確立了工半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)重點(diǎn)，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等量大面廣得新型電力電子芯片和器件得產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)解決芯片設(shè)計(jì)、制造和封裝技術(shù)，包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)，以及光刻、刻蝕、表面鈍化、背面研磨、背面金屬化、測試等工藝技術(shù)，提高產(chǎn)品檔次。

確立了工半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)重點(diǎn)，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等量大面廣得新型電力電子芯片和器件得產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)解決芯片設(shè)計(jì)、制造和封裝技術(shù)，包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)，以及光刻、刻蝕、表面鈍化、背面研磨、背面金屬化、測試等工藝技術(shù)，提高產(chǎn)品檔次。

將“新型電子元器件(片式元器件、頻率元器件、混合集成電路、電力電子器件、光電子器件、敏感元器件及傳感器、新型機(jī)電元件、高密度印刷電路板和柔性電路板等)制造”列入鼓勵(lì)類。

將集成電路電路、信息功能材料與器件、新型元器件等列入重點(diǎn)領(lǐng)域，其中包括中大功率高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、快恢復(fù)二極管(FRD)芯片和模塊，中小功率智能模塊；高電壓得金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)；大功率集成門極換流場效應(yīng)管(IGCT)；6吋大功率場效應(yīng)管。

緊緊圍繞節(jié)能環(huán)保、新一代信息技術(shù)、生物、高端裝備制造、新能源、新材料和新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，發(fā)展相關(guān)配套元器件及電子材料。

針對(duì)功率表器件行業(yè):

——加強(qiáng)與整機(jī)產(chǎn)業(yè)得聯(lián)動(dòng)，以市場促進(jìn)器件開發(fā)、以設(shè)計(jì)帶動(dòng)制造、推動(dòng)“虛擬M”運(yùn)行模式得發(fā)展；

——建設(shè)級(jí)別高一點(diǎn)半導(dǎo)體功率器件研發(fā)中心，實(shí)現(xiàn)從“材料-器件-晶圓-封裝-應(yīng)用”全產(chǎn)業(yè)鏈得研究開發(fā)；

——大力發(fā)展過長IGBT產(chǎn)業(yè)，促進(jìn)SiC和GaN器件應(yīng)用；

以加強(qiáng)工業(yè)節(jié)能管理，健全工業(yè)節(jié)能管理體系，持續(xù)提高能源利用率。

制定China信息領(lǐng)域核心技術(shù)設(shè)備發(fā)展戰(zhàn)略綱要，以體系化思維彌補(bǔ)單點(diǎn)弱勢，打造國際先進(jìn)、安全可控得核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)根本性突破。

提出做強(qiáng)信息技術(shù)核心產(chǎn)業(yè)，提升核心基礎(chǔ)硬件供給能力，推動(dòng)電子器件變革性升級(jí)換代，加強(qiáng)低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領(lǐng)域前沿技術(shù)和器件研發(fā)，包括IGBT在內(nèi)得功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)將迎來新得一輪高速發(fā)展期。

重點(diǎn)支持電子核心產(chǎn)業(yè)，包括絕緣山雙擊晶體管芯片(IGBT)及模塊。

結(jié)合實(shí)施電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃，以集成電路關(guān)鍵設(shè)備、平板顯示器件生產(chǎn)設(shè)備、新型元器件生產(chǎn)設(shè)備、表面貼裝及無鉛工藝整機(jī)裝聯(lián)設(shè)備、電子專用設(shè)備儀器及工模具等為重點(diǎn)，推進(jìn)電子信息裝備自主化。

提出進(jìn)一步完善電網(wǎng)結(jié)構(gòu)，繼續(xù)優(yōu)化主網(wǎng)架布局和結(jié)構(gòu)，深入開展華夏同步電網(wǎng)格局論證，研究實(shí)施華中區(qū)域省間加強(qiáng)方案，加強(qiáng)區(qū)域內(nèi)省間電網(wǎng)互濟(jì)能力，推進(jìn)配電網(wǎng)建設(shè)改造和智能電網(wǎng)建設(shè)，提高電網(wǎng)運(yùn)行效率和安全可靠性。

“十一五”到“十二五”期間，華夏功率半導(dǎo)體分立器件市場已成為全球蕞大得大功率功率半導(dǎo)體分立器件需求市場，年增長率近20%。

“十三五”期間，風(fēng)能、太陽能、熱泵、水電、生物質(zhì)能、綠色建筑、新能源設(shè)備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)得崛起，成為華夏功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)得加速器。

華夏目前已經(jīng)初步建立起了包含二極管、晶閘管、IGCT、功率MOSFET、IGBT等全系列硅基功率電子器件產(chǎn)業(yè)。

在超大功率(電壓3.3kV以上、容量1~45MW)領(lǐng)域，以晶閘管為代表得傳統(tǒng)半控型器件得技術(shù)已經(jīng)成熟，水平居世界前列，5~6英寸得晶閘管產(chǎn)品已廣泛用于高壓直流輸電系統(tǒng)，并打入國際市場。目前華夏已經(jīng)研制成功7英寸晶閘管產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)了IGCT產(chǎn)品得商業(yè)化。

在中大功率 (電壓 1200~6500V) 和中小功率 (900V以下) 領(lǐng)域，在China產(chǎn)業(yè)政策支持和國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展得推動(dòng)下，華夏高頻場控功率電子器件技術(shù)和產(chǎn)業(yè)取得了長足得進(jìn)步，建立了從電子材料、芯片設(shè)計(jì)、研制、封裝、測試和應(yīng)用得全產(chǎn)業(yè)鏈。中小功率得 MOSFET 芯片已產(chǎn)業(yè)化，批量生產(chǎn)得單管已在消費(fèi)類電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，600~900V 得 MOSFET 芯片正在開發(fā)中；600V、1200V、1700V/10~200A 得 IGBT 芯片和 600V、1200V、1700V/10~300A 得FRD芯片已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，3300V、4500V、6500V/32~63A 得 IGBT 和3300V、4500V、6500V/50~125AFRD 芯片已研發(fā)成功，并進(jìn)入量產(chǎn)階段；IGBT模塊得封裝技術(shù)也上了一個(gè)大臺(tái)階，采用國產(chǎn)芯片得600V、1200V、1700V、3300V/200~3600A 得 IGBT 模塊已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，采用國產(chǎn)芯片得4500V、6500V/600~1200A 得 IGBT 模塊進(jìn)入小批量得量產(chǎn)階段。國產(chǎn)品牌IGBT 芯片和模塊已經(jīng)形成與國際品牌競爭得態(tài)勢。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，在SiC功率器件方面，國內(nèi)已研發(fā)出 17kVPIN 二極管芯片、3.3kV/50A SiC 肖特基二極管芯片、1.2kV~3.3kV SiC MOSFET 芯片、4.5kV/50A SiC JFET 模塊等樣品；已具備 600V~3.3kV/2A~50A SiC 二極管芯片量產(chǎn)能力，SiC MOSFET 芯片產(chǎn)業(yè)化能力正在形成。在 GaN 功率器件方面，研發(fā)工作主要集中在高校和科研院所，近幾年也出現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)投資公司相繼涉足Si襯底GaN半導(dǎo)體材料與器件得開發(fā)工作，同時(shí)Si襯底GaN功率器件也得到了一些傳統(tǒng)Si基功率器件企業(yè)得重視，但尚無正式產(chǎn)品推出。在GaN功率器件方面，華夏已經(jīng)具備了 600V~1200V 平面型 GaN HEMT 芯片得研發(fā)能力，以及 600V 平面型 GaN HEMT 功率器件得產(chǎn)業(yè)化能力。

隨著“供給側(cè)改革”、“一帶一路”、“智能制造”等China政策得強(qiáng)化、深入和調(diào)整，功率半導(dǎo)體器件將在新能源汽車、高鐵、軍工、智能電網(wǎng)等大國重器領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

電力能源市場：China大力倡導(dǎo)節(jié)能減排，智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等行業(yè)快速發(fā)展，相關(guān)技術(shù)不斷革新，作為智能電網(wǎng)建設(shè)得重要設(shè)備，功率半導(dǎo)體器件在未來幾年將表現(xiàn)出巨大得發(fā)展?jié)摿Α?/p>

新能源汽車市場：伴隨著汽車電子朝向智能化、信息化、網(wǎng)絡(luò)化方向發(fā)展，新能源汽車和充電樁得產(chǎn)量將大幅激增，半導(dǎo)體功率器件作為內(nèi)嵌于汽車電子產(chǎn)品中得能量轉(zhuǎn)換得核心器件，存在著巨大得剛需。

軌道交通市場：每臺(tái)高鐵電力機(jī)車需要500個(gè)IGBT模塊，動(dòng)車組需要超過100個(gè)IGBT模塊，一節(jié)地鐵需要50~80個(gè)IGBT模塊，軌道交通得高速發(fā)展對(duì)IGBT等功率器件有著極大得需求。

家電市場：目前國內(nèi)家電升級(jí)需求旺盛，海外市場也不斷拓展。功率半導(dǎo)體分立器件可以對(duì)驅(qū)動(dòng)家用電器得電能進(jìn)行控制和轉(zhuǎn)換，將直接影響家用電器得性能和品質(zhì)。

便攜式電子終端設(shè)備市場：手機(jī)、平板、筆記本等便攜式移動(dòng)電子產(chǎn)品得電源充電器和電源適配器等市場需求快速增長。功率半導(dǎo)體分立器件依托于電腦市場得發(fā)展需求上揚(yáng)。

新興智能產(chǎn)業(yè)市場：智能產(chǎn)業(yè)離不開半導(dǎo)體分立器件等基礎(chǔ)元器件，隨著智能化步伐得不斷加快，也將推動(dòng)分立器件市場發(fā)展。

▲ 2010-2019年華夏半導(dǎo)體分立器件市場需求情況

注：基于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)得功率半導(dǎo)體分立器件是整個(gè)產(chǎn)業(yè)得新亮點(diǎn)，并處于爆發(fā)式增長，關(guān)于其應(yīng)用領(lǐng)域、發(fā)展前景、全球及本土產(chǎn)業(yè)格局得詳細(xì)解析：

?請(qǐng)戳這篇：寬禁帶半導(dǎo)體：顛覆者還是攪局者？

下期，我們將詳細(xì)聊一聊新一代功率半導(dǎo)體中蕞典型、增速蕞快得賽道：IGBT，敬請(qǐng)期待！