2021年9月25—26日，華夏電工技術(shù)學(xué)會(huì)成立40周年紀(jì)念大會(huì)暨第十六屆華夏電工技術(shù)學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)在北京會(huì)議中心盛大舉行。華中科技大學(xué)梁琳研究員應(yīng)邀在年會(huì)“電力電子技術(shù)及電能變換”專題會(huì)議上，就“高壓大容量特種功率半導(dǎo)體器件研究進(jìn)展”作特邀報(bào)告。現(xiàn)將梁琳研究員得報(bào)告分享給各位讀者，以期促進(jìn)本領(lǐng)域得學(xué)術(shù)交流和技術(shù)進(jìn)步。本號(hào)將陸續(xù)推送大會(huì)得部分可能報(bào)告，請(qǐng)讀者持續(xù)。

可能簡(jiǎn)介

梁琳，華中科技大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院研究員，博士生導(dǎo)師，電力安全與高效利用教育部工程研究中心副主任。IEEE高級(jí)會(huì)員，中達(dá)青年學(xué)者獎(jiǎng)獲得者，2021華夏電源領(lǐng)域“蕞美科技工”入選者，國際一流期刊IEEE JESTPE副感謝。曾赴美國北卡州立大學(xué)FREEDM Systems Center任訪問教授。

研究領(lǐng)域?yàn)楣β拾雽?dǎo)體器件、封裝、可靠性及其應(yīng)用。發(fā)表SCI/EI/CSCD收錄論文70余篇；合作出版專著2部；獲授權(quán)China發(fā)明專利17項(xiàng)，其中轉(zhuǎn)讓3項(xiàng)；主持China自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目2項(xiàng)、國防基礎(chǔ)科研計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)，是1項(xiàng)China重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目課題執(zhí)行負(fù)責(zé)人，主持與企業(yè)、科研院所合作項(xiàng)目20余項(xiàng)。

報(bào)告摘選脈沖功率技術(shù)廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。在軍用領(lǐng)域，主要有核爆模擬、電熱軌道武器、電磁炮、衛(wèi)星推進(jìn)等應(yīng)用；在民用領(lǐng)域，主要有廢氣廢水處理、材料改性、火電廠脫硫脫硝、微生物殺菌等應(yīng)用。理想得脈沖功率開關(guān)希望兼顧高斷態(tài)重復(fù)峰值電壓、高峰值電流、高di/dt耐量。RSD、DSRD、F等特種器件系列，覆蓋了不同功率范圍、時(shí)間尺度得脈沖功率應(yīng)用，前景廣闊。碳化硅脈沖高壓雙極型器件與硅基器件相比優(yōu)勢(shì)明確，實(shí)際應(yīng)用中減少材料缺陷、提升少子壽命仍是重大挑戰(zhàn)。壓接IGBT、SiC IGBT等電力電子器件在各自優(yōu)勢(shì)參數(shù)范圍也可在脈沖功率領(lǐng)域應(yīng)用，要發(fā)揮出允許性能需定制化設(shè)計(jì)。