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        華燦光電積極布局GaN電力電子器件領(lǐng)域

        放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2022-02-03 17:10:59    作者:馮丹丹    瀏覽次數(shù):105
        導(dǎo)讀

        感謝 阮潤(rùn)生 隨著新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)發(fā)展,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料受到投資熱捧。日前在集邦化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會(huì)上,華燦光電(300323)副

        感謝 阮潤(rùn)生

        隨著新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)發(fā)展,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料受到投資熱捧。日前在集邦化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會(huì)上,華燦光電(300323)副總裁王江波接受·e公司感謝采訪時(shí)表示,公司于上年年已進(jìn)入GaN電力電子器件領(lǐng)域,產(chǎn)品將向快充、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、通信等市場(chǎng)領(lǐng)域拓展。

        “華燦光電具有十幾年GaN基LED外延及芯片研發(fā)制造經(jīng)驗(yàn),LED芯片產(chǎn)品主要用于超高清顯示、高端背光、高光效照明、紫外和紅外等市場(chǎng)?!蓖踅ㄖ赋?,除了現(xiàn)有光電領(lǐng)域,公司也在向功率器件等電子電力器件領(lǐng)域拓展。

        上年年,華燦光電非公開發(fā)行募資15億元,其中3億元將投向“GaN基電力電子器件得研發(fā)與制造項(xiàng)目”。王江波表示,電子電力器件與公司深耕得光電領(lǐng)域應(yīng)用市場(chǎng)有所不同,但材料體系相似,工藝制備方面有一定相通之處,電力電子器件產(chǎn)品工藝更為復(fù)雜,線寬控制和設(shè)備得要求更高。

        目前GaN功率器件市場(chǎng)主要集中在消費(fèi)電子快充得市場(chǎng),據(jù)預(yù)測(cè)未來(lái)四年滲透率將會(huì)達(dá)到75%。對(duì)此,王江波表示,快充是比較容易進(jìn)入得市場(chǎng)領(lǐng)域,“雖然現(xiàn)在已經(jīng)有比較成熟得方案,但是并未固化,華燦也會(huì)根據(jù)自身優(yōu)勢(shì)和積累,探索適合得技術(shù)路線。”

        另外,GaN材料還可以滿足數(shù)據(jù)中心安全、高效、穩(wěn)定,同時(shí)減少體積、降低成本得需求;在電動(dòng)汽車功率器件方面,GaN材料比硅基材料得功率密度提升5倍,公示功耗降低3倍,體積更輕巧、更集成;另外,在無(wú)人駕駛領(lǐng)域,GaN也可以在雷達(dá)得應(yīng)用方面發(fā)揮作用,實(shí)現(xiàn)更短得脈沖,達(dá)到更高得分辨率、更快得測(cè)量、更好得計(jì)算。

        據(jù)介紹,目前華燦光電GaN電力電子器件外延片已達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平,芯片相關(guān)工藝完成階段性開發(fā),6英寸硅基GaN電力電子器件工藝已通線,100mm柵寬D-Mode器件靜態(tài)參數(shù)已達(dá)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。華燦光電預(yù)計(jì)2022年推出650V cascode產(chǎn)品,2023年具備批量生產(chǎn)和代工能力。

        今年5月份,華燦光電披露實(shí)際控制人變更為珠海國(guó)資。去年12月,珠海國(guó)資旗下華實(shí)控股參與認(rèn)購(gòu)華燦光電定增,另外,華實(shí)控股通過受讓原股東股份轉(zhuǎn)讓后,合計(jì)持股24.87%,成為上市公司第壹大股東。10月份,華燦光電披露擬與珠海華發(fā)實(shí)體產(chǎn)業(yè)研究院有限公司設(shè)立先進(jìn)半導(dǎo)體研究院,雙方分別出資1.5 億元。

        “華發(fā)集團(tuán)入股對(duì)華燦光電可以全方位賦能。”王江波表示,華發(fā)集團(tuán)擁有雄厚得資金,同時(shí)也有豐富得上下游資源,包括在家居照明、健康照明、植物照明等領(lǐng)域,華發(fā)皆有布局,可以與華燦光電產(chǎn)生聯(lián)動(dòng)效應(yīng)。另外,雙方共建得研究院會(huì)重點(diǎn)研究未來(lái)三到五年得前瞻性技術(shù),以期在先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域獲更快發(fā)展。

         
        (文/馮丹丹)
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