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        試驗(yàn)知識(shí)_介質(zhì)損失角正切值的測(cè)試原理

        放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2023-02-11 16:20:40    瀏覽次數(shù):107
        導(dǎo)讀

        介質(zhì)損耗角正切的測(cè)量方法很多,從原理上來(lái)分,可分為平衡測(cè)量法和角 差測(cè)量法兩類。傳統(tǒng)的測(cè)量方法為平衡測(cè)量法,即高壓西林電橋法。由于技 術(shù)的發(fā)展和檢測(cè)手段的不斷完善,角差測(cè)量法使用的越來(lái)越普遍。當(dāng)絕緣受潮

        介質(zhì)損耗角正切的測(cè)量方法很多,從原理上來(lái)分,可分為平衡測(cè)量法和角 差測(cè)量法兩類。傳統(tǒng)的測(cè)量方法為平衡測(cè)量法,即高壓西林電橋法。由于技 術(shù)的發(fā)展和檢測(cè)手段的不斷完善,角差測(cè)量法使用的越來(lái)越普遍。

        當(dāng)絕緣受潮、老化時(shí),有功電流將增大,tgδ也增大。通過(guò)測(cè)tgδ可以反映 出絕緣的分布性缺陷。如果缺陷是集中性的,有時(shí)測(cè)tgδ就不靈敏,這是 因?yàn)榧行匀毕轂榫植康模梢园呀橘|(zhì)分為缺陷和無(wú)缺陷的兩部分;無(wú)缺 陷的部分為R1和C1的并聯(lián);有缺陷部分為R2和C2的并聯(lián)。

        則:

        缺陷部分占的比例很小時(shí),(C2/C)tgδ就很小,所以測(cè)整體 tgδ時(shí),就不易發(fā)現(xiàn)局部缺陷。

        在《電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》中對(duì)電機(jī)、電纜等絕緣,因?yàn)槿毕莸募?中性及體積較大,通常不做此項(xiàng)試驗(yàn);而對(duì)套管、電力變壓器、互感器、 電容器等則做此項(xiàng)試驗(yàn)。

        我國(guó)目前使用的測(cè) tgδ值的試驗(yàn)裝置有西林電橋(下圖給出了QS1西林電橋的 三種試驗(yàn)接線),M型介質(zhì)試驗(yàn)器,還有P5026M型交流電橋、GWS-1型光導(dǎo)微機(jī)介質(zhì)損耗測(cè)試儀等,具體的使用方法可參見(jiàn)制造廠說(shuō)明。本文主要介紹西林電橋法測(cè)量。

        西林電橋的兩個(gè)高壓橋臂,分別由試品ZN及無(wú)損耗的標(biāo)準(zhǔn)電容器CN組成; 兩個(gè)低壓橋臂,分別由無(wú)感電阻R3及無(wú)感電阻R4與電容C4并聯(lián)組成,如圖所示。各橋臂的導(dǎo)納為:

        調(diào)節(jié)R3、C4使電橋達(dá)到平衡時(shí),應(yīng)滿足:

        解此方程,實(shí)部、虛部分別相等,可得

        當(dāng)tgδ<0.1,誤差允許不大于1 %時(shí),上式可改寫(xiě)為

        高壓西林電橋是用于工頻高壓,于是ω=2πf=100π是固定的;同時(shí)電橋中 的R4也是是固定的,這時(shí)

        式中C4的單位是F,若C4以F計(jì)則上式可寫(xiě)為

        式中k=F-1

        于是C4就可以直接分度為tgδ,在西林電橋上tgδ是直讀的。Cx是按R3的 讀數(shù),通過(guò)式子計(jì)算得出。CN—般都用100pF,個(gè)別也有用50pF或 1000pF,但都是固定已知值。

        高壓西林電橋的高壓橋臂的阻抗比對(duì)應(yīng)的低壓臂阻抗大得多,所以電橋 上施加的電壓絕大部分都降落在高壓橋臂上,只要把試品和標(biāo)準(zhǔn)電容器放在 高壓保護(hù)區(qū),用屏蔽線從其低壓端連接到低壓橋臂上,則在低壓橋臂上調(diào)節(jié) R3和C4就很安全,而且測(cè)量準(zhǔn)確度較高,但這種方法要求被試品高低壓端均對(duì)地絕緣。

        QS1型西林電橋原理接線

        (a) 正接線 (b)反接線 (c)對(duì)角線接線

        Zx—被測(cè)絕緣阻抗;CN—標(biāo)準(zhǔn)電容;R3—可變電阻;C4—可變電容;G—檢流計(jì)

        圖(a)正接線用于兩極對(duì)地絕緣的設(shè)備,用于試驗(yàn)室或繞組間測(cè) 。

        圖(b)反接線用于現(xiàn)場(chǎng)被試設(shè)備為一極接地的設(shè)備,要求電橋有足夠的絕緣。由于R3和C4處于高電位,為保證操作的安全應(yīng)采取一定的措施。一個(gè)辦法是將電橋本體和操作者一起放在絕緣臺(tái)上或放在一個(gè)叫法拉第籠的 金屬籠里對(duì)地絕緣起來(lái),使操作者與R3、C4處于等電位。另一種辦法是人 通過(guò)絕緣連桿去調(diào)節(jié)R3和C4。現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)通常采用反接線試驗(yàn)方法。

        圖 (c) 對(duì)角線接線用于被試設(shè)備為一極接地的設(shè)備且電橋沒(méi)有足夠的絕緣。

        電橋測(cè)試中的注意事項(xiàng):

        在電橋測(cè)試中,有些問(wèn)題往往容易被忽視,使測(cè)量數(shù)據(jù)不能反映被試設(shè)備 的真實(shí)情況,常被忽視的問(wèn)題有:

      1. 外界電場(chǎng)干擾的影響。在電壓等級(jí)較低(例如35kV電壓等級(jí))的電氣tgδ測(cè)試中,容易忽視電場(chǎng)干擾的影響。
      2. 高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器的影響。現(xiàn)場(chǎng)經(jīng)常使用的BR16型標(biāo)準(zhǔn)電容器,電容量為 50pF,要求tgδ%<0.1%,由于標(biāo)準(zhǔn)電容器經(jīng)過(guò)一段時(shí)間存放、應(yīng)用和運(yùn)輸后,本身 的質(zhì)量在不斷變化,會(huì)受潮、生銹,如忽視了這些質(zhì)量問(wèn)題,同樣會(huì)影響測(cè)試的數(shù)據(jù)。
      3. 試品電容量變化的影響。在用QS1型西林電橋測(cè)量電氣設(shè)備絕緣狀況時(shí),往往重視tgδ值,而容易忽視試品電容量的變化,由此而產(chǎn)生一些事故。
      4. 消除表面泄漏的方法。當(dāng)測(cè)量電氣設(shè)備絕緣的tgδ時(shí),空氣相對(duì)濕度對(duì)其測(cè)量結(jié)果影響很大,當(dāng)絕緣表面臟污,且又處于濕度較大的環(huán)境中時(shí), 表面泄漏電流增加,對(duì)其測(cè)量結(jié)果影響更大。
      5. 采取其有效的方法,如電熱風(fēng)法、瓷套表面瓷群涂擦法、化學(xué)去濕法等。
      6. 測(cè)試電源的選擇。在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試中,有時(shí)會(huì)遇到試驗(yàn)電壓與干擾電源不 同步,用移相等方法也難以使電橋平衡的情況。
      7. 電橋引線的影響:
        1. 引線長(zhǎng)度的影響。分析研究表明,在一般情況下,Cx引線長(zhǎng)度約為5-10m,,其電容約為1500-3000pF;而CN引線約1-1.5m,為其電容約為 300?500pF。當(dāng)R4=3184歐和R3較小時(shí),對(duì)測(cè)量結(jié)果影響很小,但若進(jìn)行小容量試品測(cè)試時(shí),就會(huì)產(chǎn)生偏大的測(cè)量誤差。
        2. 高壓引線與試品夾角的影響。測(cè)量小容量試品時(shí),高壓引線與試品的雜散電容對(duì)測(cè)量的影響不可忽視。
        3. 引線電暈的影響。高壓引線的直徑較細(xì)時(shí),當(dāng)試驗(yàn)電壓超過(guò)一定數(shù) 時(shí),就可能產(chǎn)生電暈。例如若用一般的導(dǎo)線做高壓引線,當(dāng)電壓超過(guò)50kV 后,就會(huì)出現(xiàn)電暈現(xiàn)象。電暈損耗通過(guò)雜散電容將被計(jì)入被試品的tgδ內(nèi)。嚴(yán)重影響測(cè)量結(jié)果,并可能導(dǎo)致誤判斷。
        4. 引線接觸不良的影響。當(dāng)QS1電橋高壓線或測(cè)量引出線與被試品接觸不良 時(shí),相當(dāng)于被試支路串聯(lián)一個(gè)附加電阻。該電子在交流電壓作用下會(huì)產(chǎn)生有 功損耗并與被試品自身有功損耗疊加,使測(cè)量的介質(zhì)損耗因數(shù)超過(guò)規(guī)定的限 值,導(dǎo)致誤判斷。
      8. 接線的影響。小電容(小于500pF)試品主要有電容型套管、 3-110kV電容式電流互感器等。對(duì)這些試品采用QS1型電橋的正、反接線 進(jìn)行測(cè)量時(shí),其介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量結(jié)果是不同的。
      9. 按正接線測(cè)量一次對(duì)二次或一次對(duì)二次及外殼(墊絕緣)的介質(zhì)損耗因 數(shù),測(cè)量結(jié)果是實(shí)際被試品一次對(duì)二次及外殼絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)。而一 次和頂部周?chē)拥夭糠值碾娙莺徒橘|(zhì)損耗因數(shù)均被屏蔽掉(電橋正接線測(cè) 量時(shí),接地點(diǎn)是電橋的屏蔽點(diǎn))。
      10. 由于正接地具有良好的抗電場(chǎng)干擾,測(cè)量誤差較小的特點(diǎn),一般應(yīng)以正 接線測(cè)量結(jié)果作為分析判斷絕緣狀況的依據(jù)。

      11. 角差測(cè)量法測(cè)量tgδ

        由于介質(zhì)損耗角很小,如果直接測(cè)量其角差很困難,因此,傳統(tǒng)的測(cè) 量方法均采用平衡測(cè)量法。隨著技術(shù)的進(jìn)步及元器件的發(fā)展,可以通過(guò)直接測(cè)量電壓和電流的角差來(lái)測(cè)量tgδ,即角差法測(cè)量tgδ。這種方法免去了平衡 測(cè)量法中需要調(diào)節(jié)平衡的繁瑣,大大減少了試驗(yàn)的工作量。角差法測(cè)量方法很多,如圖所示為角差法典型的測(cè)量原理接線圖

        其工作原理如下:由原理可知,測(cè)量tgδ曠實(shí)際上就是測(cè)量流過(guò)試品容性電流與全電流 的相角差,在試驗(yàn)時(shí)同時(shí)測(cè)量流過(guò)標(biāo)準(zhǔn)電容器電流(其相角與流過(guò)試品的容性電流的相角一致)和流過(guò)試品的電流(全電流),這樣可測(cè)得到二者之間 的相角差,從而可以計(jì)算tgδ的數(shù)值。采樣電阻是無(wú)感精密電阻。測(cè)量回路 將電流信號(hào)變?yōu)閿?shù)字信號(hào),通過(guò)傅立葉變換能精確穩(wěn)定地測(cè)量畸變波形的相 位差。但測(cè)量精度完全由高速高精度器件和計(jì)算處理的精度決定。考慮到正、 反接線及高低壓隔離問(wèn)題,數(shù)據(jù)傳輸可以通過(guò)光纖傳輸或?qū)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為紅外 光并發(fā)送到接收器來(lái)進(jìn)行隔離。

      12.  
        (文/小編)
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