IT之家 2 月 18 日消息，高通在去年 11 月發(fā)布了驍龍 8 Gen 2 芯片，基于臺(tái)積電 4nm 工藝。今年可能會(huì)有驍龍 8+ Gen 2 芯片，性能會(huì)更強(qiáng)。高通也可能會(huì)跳過推出 Plus 版 SoC，但將在今年晚些時(shí)候推出驍龍 8 Gen 3 芯片。
驍龍 8 Gen 2 芯片峰值頻率為 3.2GHz，三星 Galaxy S23 系列中得驍龍 8 Gen 2 超頻版本峰值時(shí)鐘速度為 3.36GHz。預(yù)計(jì)今年推出得驍龍 8 Gen 3 芯片將帶來更好得性能，同時(shí)降低功耗。
IT之家了解到，驍龍 8 旗艦芯片通常在每年 Q4 推出，此前為 12 月初，去年提前到 11 月 16 日。近期微博博主 等數(shù)碼閑聊站 稱，今年驍龍 8 Gen 3 芯片還會(huì)提早一丟丟發(fā)布（預(yù)計(jì)將在 2023 年 10 月底或 11 月初）。不過各廠商得手機(jī)排期仍然是 Q4 季度。
目前關(guān)于驍龍 8 Gen 3 芯片得細(xì)節(jié)尚不清楚。據(jù)曝光得跑分顯示，驍龍 8 Gen 3 芯片得 CPU 性能將比驍龍 8 系列 SoC 提升 25%。驍龍 8 Gen 3 for Galaxy 芯片在 Geekbench 早期測(cè)試中，單核分?jǐn)?shù)為 1930，, 多核分?jǐn)?shù)為 6236。
消息稱驍龍 8 Gen 3 for Galaxy 將采用 1+5+2 核心配置，比當(dāng)前驍龍 8 Gen 2 for Galaxy 得 1+4+3 設(shè)置多一個(gè)能效核心。得益于臺(tái)積電 N4P 工藝節(jié)點(diǎn)，其能效可能比驍龍 8 Gen 2 高出 20%。
