很多網(wǎng)友認(rèn)為，有了“28納米光刻機(jī)”，就可以通過(guò)雙重曝光制造14納米芯片，通過(guò)四重曝光可以制造7納米芯片。這種說(shuō)法正確嗎？

為了回答這個(gè)問(wèn)題，我們需要先理清楚什么叫做“28納米光刻機(jī)”。

通常意義上，半導(dǎo)體行業(yè)的光刻機(jī)的劃分是根據(jù)光源波長(zhǎng)來(lái)命名，比如我們經(jīng)常說(shuō)的193納米ArF光刻機(jī)，248納米KrF光刻機(jī)。

而我們所說(shuō)的“28納米光刻機(jī)”，則指的是達(dá)到“28納米節(jié)點(diǎn)工藝”精度的浸沒(méi)式光刻機(jī)。

熟悉半導(dǎo)體的朋友都很清楚，通常一代光源的光刻機(jī)可以通過(guò)不斷迭代升級(jí)跨越多個(gè)節(jié)點(diǎn)；所以用“28納米光刻機(jī)”來(lái)命名，實(shí)際上是比通常用光源波長(zhǎng)命名要更精確一點(diǎn)。

“28納米節(jié)點(diǎn)工藝”本身是臺(tái)積電從32納米節(jié)點(diǎn)到22納米節(jié)點(diǎn)的一個(gè)過(guò)渡，也是02專項(xiàng)立項(xiàng)時(shí)期最先進(jìn)的制程。當(dāng)時(shí)ASML推出的最先進(jìn)的系統(tǒng)是浸沒(méi)式光刻機(jī)NXT:1950Ai。

為了實(shí)現(xiàn)28納米以下節(jié)點(diǎn)，通常需要雙重曝光、多重曝光，所以對(duì)浸沒(méi)式光刻系統(tǒng)的精度要求更高。

ASML已經(jīng)給出早期從2010年-2016年間迭代的4代浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)的節(jié)點(diǎn)精度和對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)指標(biāo)：

1，2010-2012年的“28納米光刻機(jī)”，其產(chǎn)品套刻精度9納米，特征尺寸精度3納米；

2，2012-2013年的“20納米光刻機(jī)”，其產(chǎn)品套刻精度6納米，特征尺寸精度1.5納米；

3，2014-2015年的“14納米光刻機(jī)”，其產(chǎn)品套刻精度4納米，特征尺寸精度1納米；

4，2015-2016年的“11納米光刻機(jī)”，其產(chǎn)品套刻精度3納米，特征尺寸精度小于1納米。

如果要順延“28納米光刻機(jī)”的命名規(guī)范來(lái)說(shuō)，我們同樣需要將其升級(jí)到“22納米光刻機(jī)”、“14納米光刻機(jī)”、“7納米光刻機(jī)”等不同迭代產(chǎn)品型號(hào)，才可以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)節(jié)點(diǎn)精度的要求。所謂的“28納米光刻機(jī)”不能包打天下啊！

實(shí)際上，如果我們仔細(xì)地研究ASML的資料，就可以大致發(fā)現(xiàn)，ASML從32納米浸沒(méi)式光刻機(jī)迭代到7納米浸沒(méi)式光刻機(jī)，也用了大約10年時(shí)間！它包括了一系列系統(tǒng)級(jí)的逐漸優(yōu)化和提升，而不是故意人為設(shè)定的代差。

所以，如果我國(guó)在2023年能夠有浸沒(méi)式光刻機(jī)試驗(yàn)機(jī)的消息，它至少需要3年才可能形成28納米的量產(chǎn)能力。之后我們?cè)儆懻摰?jí)，可能是合理的--當(dāng)然，彼時(shí)升級(jí)的速度有可能會(huì)稍微快一點(diǎn)。但是這個(gè)可能性不大，因?yàn)槲覀兛梢詮奈覈?guó)的90納米光刻機(jī)的商業(yè)化進(jìn)展來(lái)看，它從試驗(yàn)機(jī)臺(tái)到商業(yè)化成熟產(chǎn)品的跨越需要的時(shí)間，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)大家的想象。

綜上所述，即便是成熟的“28納米光刻機(jī)”，也不能達(dá)到量產(chǎn)14納米或7納米芯片的精度要求，它仍需要大量的系統(tǒng)級(jí)迭代升級(jí)才可以達(dá)到更先進(jìn)芯片制程的能力。

因此，我的判斷是我國(guó)目前解決光刻機(jī)困局的路線出現(xiàn)問(wèn)題，其根源是忽略了試驗(yàn)機(jī)臺(tái)到商業(yè)化成熟產(chǎn)品的鴻溝，這兩者依賴完全不同的開(kāi)發(fā)模式和組織模式。