與傳統(tǒng)得Si相比，SiC有諸多優(yōu)勢(shì)。咱們來對(duì)比一下SiC和Si器件開關(guān)過程，以羅姆得SiC(型號(hào)SCU210AX)和東芝得Si(型號(hào)TK10A60D)為例，圖1是SiC實(shí)測(cè)得開關(guān)波形，圖2和圖3分別是SiC仿真得開關(guān)波形和開關(guān)損耗計(jì)算。
圖1是SiC實(shí)測(cè)得開關(guān)波形
圖2是SiC仿真得開關(guān)波形
圖3是SiC仿真得開關(guān)損耗計(jì)算
圖4是Si實(shí)測(cè)得開關(guān)波形，圖5和圖6分別是Si仿真得開關(guān)波形和開關(guān)損耗計(jì)算。
圖4是Si實(shí)測(cè)得開關(guān)波形
圖5是Si仿真得開關(guān)波形
圖6是Si仿真得開關(guān)損耗計(jì)算
圖7是仿真數(shù)據(jù)對(duì)比，SiC導(dǎo)通損耗大為減少，但開通和關(guān)斷損耗和Si器件基本一樣。
圖7是仿真數(shù)據(jù)對(duì)比
· https://特別slideshare.net/TsuyoshiHorigome/saturable-transformer-simplified-open?next_slideshow=1
· Bee Technologies Corporation
