原標題：產量將快速增加！西部數(shù)據(jù)開始試產112層3D NAND，下半年量產1.33Tb容量 來源：閃存市場
西部數(shù)據(jù)宣布已經與合作伙伴鎧俠成功研發(fā)出第五代3D NAND技術BiCS5，采用112層堆疊，鞏固其在業(yè)內的領先地位。BiCS5架構主要基于TLC和QLC技術，使產品在成本更優(yōu)化的前提下，擁有更出色的容量，性能和可靠性。
BiCS5單顆Die容量可達1.33Tb，將在2020年下半年大規(guī)模生產
西部數(shù)據(jù)稱，目前已經開始初步生產容量為512Gb的BiCS5 TLC產品，且基于該新技術的消費類產品已經開始發(fā)售。預計到2020年下半年，BiCS5技術產品將大規(guī)模生產，屆時將會推出一系列基于TLC、QLC技術的不同容量產品，其中單顆Die容量可達1.33Tb。
西部數(shù)據(jù)存儲技術和制造高級副總裁Steve Paak博士表示，“我們已經進入到下一個十年發(fā)展，一種新的3D NAND縮放方法對于繼續(xù)滿足不斷增長的數(shù)據(jù)量和數(shù)據(jù)速率的需求至關重要。BiCS5技術的成功量產體現(xiàn)了我們在閃存技術上的領先地位和我們對roadmap的強大執(zhí)行力。通過不斷投入技術研發(fā)，在橫向增加存儲密度的同時也增加存儲層數(shù)，產品的可靠性和成本不斷優(yōu)化的同時，3D NAND容量和性能也大大提高?！?/p>
圖片來源：西部數(shù)據(jù)
西部數(shù)據(jù)表示，BiCS5技術將在位于日本四日市和巖手縣北上市的與鎧俠的合資Fab工廠生產。BiCS5技術將全面用于以數(shù)據(jù)為中心的個人電子產品，智能手機，IoT設備和數(shù)據(jù)中心等西部數(shù)據(jù)全套存儲產品系列。
存儲技術迭代不休止，滿足不斷增長的存儲需求
在競爭激烈的存儲市場中，技術進步是推動企業(yè)發(fā)展的根本動力。BiCS5是西部數(shù)據(jù)目前密度最高的3D NAND技術，顯著提高了存儲晶圓的單元陣列密度，這些“橫向”密度擴展與112層垂直存儲堆疊相結合，使BiCS5與西部數(shù)據(jù)的96層BiCS4技術相比，每個晶圓的存儲容量提高了40％以上，I/O性能提升了50%，同時成本也得到了優(yōu)化。
三星于2019年8月宣布推出100+層單棧的第六代V-NAND。第六代V-NAND利用獨特的“通道孔蝕刻”技術，在之前的9x層堆疊結構上增加了大約40%，然后從上到下垂直穿透圓柱形孔，創(chuàng)建統(tǒng)一的三維電荷捕捉型存儲單元來實現(xiàn)的。
三星V-NAND批量生產時間表
無論是三星的V-NAND技術還是西部數(shù)據(jù)與鎧俠的BICS技術均是基于電荷捕捉型存儲技術，此外，SK海力士也是電荷捕捉型存儲技術的踐行者，其最新發(fā)布的128層4D閃存也將于2020年實現(xiàn)在5G手機、PC、企業(yè)級市場的商用。
除電荷捕捉型存儲技術之外，存儲市場量產的主流存儲技術還有浮動柵極存儲結構，代表廠商為美光和英特爾，它與常規(guī)MOSFE最主要的區(qū)別在于柵極和溝道之間具有額外的電絕緣浮柵。該結構非易失性存儲原理為在去除電壓后，到達電隔離的浮柵層將被捕獲。
圖片來源：中國閃存市場
然而，2018年7月，美光和英特爾由于在3D NAND上技術路線的不同，宣布分手，其原因就在于美光決定放棄浮動柵極結構轉向電荷捕捉型結構。
隨著長江存儲64層3D NAND實現(xiàn)量產，進展順利，成為目前國內唯一量產成功并導入客戶群的存儲原廠。Xtacking技術也獲得合作伙伴的一致好評。Xtacking是業(yè)界推出的全新閃存架構，將邏輯控制單元和存儲單元分別進行研發(fā)和制造，最后到晶圓生產的時候疊加到一起。
隨著3D技術堆疊層數(shù)的增加，以及QLC開始慢慢商用，3D NAND單顆Die容量正在向1Tb普及化量產，可以預見每GB成本的快速下降，對閃存產品的普及，尤其在數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級市場的擴展將有重大意義。
